STP165N10F4 供应商
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STP165N10F4
品牌：STM 封装/批号：TO220/23+ -
STP165N10F4
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+ -
STP165N10F4
品牌：ST 封装/批号：/最新批号
STP165N10F4 属性参数
- 其它有关文件：STP165N10F4 View All Specifications
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：STripFET™ DeepGATE™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.5 毫欧 @ 60A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：180nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：10500pF @ 25V
- 功率 - 最大：315W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：497-10710-5