STN1HNK60 供应商
STN1HNK60 属性参数
- 其它有关文件：STN1HNK60 View All Specifications
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SuperMESH™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：400mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.7V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：156pF @ 25V
- 功率 - 最大：3.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：497-4668-6
STN1HNK60