STL8N65M5 供应商
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STL8N65M5
品牌：ST/ELNAF 封装/批号：QFN/1918+
STL8N65M5 属性参数
- 其它有关文件：STL8N65M5 View All Specifications
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：Mdmesh™ V
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 3.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：690pF @ 100V
- 功率 - 最大：70W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：14-PowerVQFN
- 供应商设备封装：PowerFLAT?（5x5）
- 包装：?
- 其它名称：497-11850-6