STB120N4F6 供应商
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STB120N4F6
品牌：STM 封装/批号：TO-263/23+ -
STB120N4F6
品牌：ST/意法 封装/批号：5000/21+ -
STB120N4F6
品牌：ST 封装/批号：TO263/新批号
STB120N4F6 属性参数
- 其它有关文件：STB120N4F6 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：STripFET™ DeepGATE™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 40A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3850pF @ 25V
- 功率 - 最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 其它名称：497-10768-5