SIS407DN-T1-GE3 供应商
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SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:N/A/2022+ -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:/23+ -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY/威世 封装/批号:15000/21+ -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:PowerPAK-1212-8/21+ -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:AIC 封装/批号:/最新批号 -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:TSSOP/23+ -
SIS407DN-T1-GE3
品牌:VISHAY/威世 封装/批号:/21+/22+
SIS407DN-T1-GE3 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:25A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:93.8nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2760pF @ 10V
- 功率 - 最大:33W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SIS407DN-T1-GE3TR