SIHB15N60E-GE3 供应商
-
SIHB15N60E-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：TO-263/21+
SIHB15N60E-GE3 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：*
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫欧 @ 8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：76nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1350pF @ 100V
- 功率 - 最大：180W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：散装
SIHB15N60E-GE3