SIE844DF-T1-E3 供应商
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SIE844DF-T1-E3
品牌:VISHAY/威世 封装/批号:SMD10/21+ -
SIE844DF-T1-E3
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
SIE844DF-T1-E3
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
SIE844DF-T1-E3
品牌:SAMSUNG/三星 封装/批号:/最新批号
SIE844DF-T1-E3 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7 毫欧 @ 12.1A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2150pF @ 15V
- 功率 - 最大:25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:10-PolarPAK?(U)
- 供应商设备封装:10-PolarPAK?(U)
- 包装:带卷 (TR)