SIA433EDJ-T1-GE3 供应商
-
SIA433EDJ-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：QFN/21+ -
SIA433EDJ-T1-GE3
品牌：VIS 封装/批号：原厂原封装/新批号 -
SIA433EDJ-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：TSSOP/23+
SIA433EDJ-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫欧 @ 7.6A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：75nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：19W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6
- 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SIA433EDJ-T1-GE3TR
SIA433EDJ-T1-GE3