SIA427DJ-T1-GE3 供应商
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SIA427DJ-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：NA/21+ -
SIA427DJ-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：PowerPAKSC-70-6Single/21+ -
SIA427DJ-T1-GE3
品牌：原装VISHAY 封装/批号：/最新批号
SIA427DJ-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：8V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 8.2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2300pF @ 4V
- 功率 - 最大：19W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6
- 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SIA427DJ-T1-GE3TR