SI8424DB-T1-E1 供应商
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SI8424DB-T1-E1
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI8424DB-T1-E1
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI8424DB-T1-E1 属性参数
- 数据列表：SI8424DB
- 特色产品：MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：8V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：31 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1950pF @ 4V
- 功率 - 最大：6.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA
- 供应商设备封装：4-Microfoot
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI8424DB-T1-E1TR