SI7136DP-T1-E3 供应商
-
SI7136DP-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI7136DP-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI7136DP-T1-E3 属性参数
- 数据列表：SI7136DP
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.2 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3380pF @ 10V
- 功率 - 最大：39W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI7136DP-T1-E3TR
SI7136DP-T1-E3