SI5419DU-T1-GE3 供应商
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SI5419DU-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：NA/21+ -
SI5419DU-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：DFN/新批号
SI5419DU-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 6.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1400pF @ 15V
- 功率 - 最大：31W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerPak? CHIPFET?
- 供应商设备封装：8-PowerPak? ChipFet
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI5419DU-T1-GE3TR