SI4493DY-T1-E3 供应商
-
SI4493DY-T1-E3
品牌:VISHAY 封装/批号:SMD-8/21+ -
SI4493DY-T1-E3
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
SI4493DY-T1-E3
品牌:VISHAY 封装/批号:SOP8/新批号 -
SI4493DY-T1-E3
品牌: 封装/批号:模块/NEW -
SI4493DY-T1-E3
品牌: 封装/批号:SOP-8/23+
SI4493DY-T1-E3 属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.75 毫欧 @ 14A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:110nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)