IC元器件

SI4477DY-T1-GE3

参考价格：$0.588

FET - 单

SI4477DY-T1-GE3 供应商

SI4477DY-T1-GE3 属性参数

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：26.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫欧 @ 18A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：190nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4600pF @ 10V
  • 功率 - 最大：6.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)

SI4477DY-T1-GE3 相关产品