SI4447DY-T1-GE3 供应商
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SI4447DY-T1-GE3 原装现货
品牌：VISHAY 封装/批号：SOIC-8/22+ -
SI4447DY-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：SMD/21+/22+ -
SI4447DY-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：SOP-8/23+
SI4447DY-T1-GE3 属性参数
- 数据列表：SI4447DY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：72 毫欧 @ 4.5A，15V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：805pF @ 20V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4447DY-T1-GE3TR