IC元器件

SI3459DV-T1-E3

FET - 单

SI3459DV-T1-E3 供应商

SI3459DV-T1-E3 属性参数

  • 数据列表：SI3459DV
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 2.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI3459DV-T1-E3TR

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