SI3443CDV-T1-GE3 供应商
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SI3443CDV-T1-GE3 原装现货
品牌:VISHAY 封装/批号:SOT23-6/1832+ -
SI3443CDV-T1-GE3 原装现货
品牌:VISHAY 封装/批号:SOT23-6/1851+ -
SI3443CDV-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:SMD/23+ -
SI3443CDV-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:TSOP-6/21+ -
SI3443CDV-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:TSOP-6/22+授权代理 -
SI3443CDV-T1-GE3
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:/最新批号 -
SI3443CDV-T1-GE3
品牌: 封装/批号:SOT23-6/23+
SI3443CDV-T1-GE3 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.97A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:12.4nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:610pF @ 10V
- 功率 - 最大:3.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI3443CDV-T1-GE3-NDSI3443CDV-T1-GE3TR