RW1A020ZPT2R 供应商
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RW1A020ZPT2R
品牌：ROHM/ELNAF 封装/批号：WEMT6/1816+
RW1A020ZPT2R 属性参数
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：770pF @ 6V
- 功率 - 最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WEMT
- 供应商设备封装：6-WEMT
- 包装：带卷 (TR)
RW1A020ZPT2R