PSMN2R2-30YLC,115 供应商
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PSMN2R2-30YLC,115
品牌：NXP 封装/批号：/21+
PSMN2R2-30YLC,115 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.15 毫欧 @ 25A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.95V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3310pF @ 15V
- 功率 - 最大：141W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
- 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
- 包装：?
- 其它名称：568-6728-6