PSMN1R3-30YL,115 供应商
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PSMN1R3-30YL,115
品牌：NXP 封装/批号：/21+
PSMN1R3-30YL,115 属性参数
- 特色产品：LFPAK Trench 6 MOSFETs
- 标准包装：1,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.3 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.15V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：6227pF @ 12V
- 功率 - 最大：121W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT1023，4-LFPAK
- 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
- 包装：带卷 (TR)