PBLS2002S,115 供应商
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PBLS2002S,115
品牌：NXP Semiconductors 封装/批号：SOT-96-1/21+ -
PBLS2002S,115
品牌：NXP 封装/批号：数字晶体管/21+
PBLS2002S,115 属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA，3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V，20V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：4.7k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1µA，100nA
- 频率 - 转换：100MHz
- 功率 - 最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：®
- 其它名称：568-7229-6