NVR1P02T1G 供应商
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NVR1P02T1G
品牌：ON SEMI 封装/批号：N/A/2022+ -
NVR1P02T1G
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：SOT-23-3/22+
NVR1P02T1G 属性参数
- 标准包装：6,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：165pF @ 5V
- 功率 - 最大：400mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)