NTMFS4833NST1G 供应商
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NTMFS4833NST1G
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：SO-8FL/DFN-8/22+ -
NTMFS4833NST1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：SO-8FL/18+ -
NTMFS4833NST1G
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：QFN-8/1909+
NTMFS4833NST1G 属性参数
- 标准包装：1,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SENSEFET®
- FET 型：*
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：86nC @ 11.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：5250pF @ 12V
- 功率 - 最大：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：SO-8FL
- 包装：带卷 (TR)