NTE4153NT1G 供应商
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NTE4153NT1G 原装现货
品牌：ON 封装/批号：SOT523/21+ -
NTE4153NT1G
品牌：onsemi 封装/批号：SC-89-3/21+ -
NTE4153NT1G
品牌：ON SEMICONDUCTOR 封装/批号：/23+ -
NTE4153NT1G
品牌：ON 封装/批号：??μ/21 -
NTE4153NT1G
品牌：ON 封装/批号：/8 -
NTE4153NT1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：SMD/21+ -
NTE4153NT1G
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：SC-89-3/22+ -
NTE4153NT1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：SC-89-3/18+ -
NTE4153NT1G
品牌：ON 封装/批号：SC-89/23+ -
NTE4153NT1G
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：SC-75/1813+
NTE4153NT1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：915mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.82nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：110pF @ 16V
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-89，SOT-490
- 供应商设备封装：SC-89-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTE4153NT1GOSTR
NTE4153NT1G