NSS12601CF8T1G 供应商
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NSS12601CF8T1G
品牌：onsemi 封装/批号：ChipFET/21+ -
NSS12601CF8T1G
品牌：ON 封装/批号：/8 -
NSS12601CF8T1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：ChipFET?/18+
NSS12601CF8T1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：120mV @ 400mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 1A，2V
- 功率 - 最大：830mW
- 频率 - 转换：140MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NSS12601CF8T1GOSTR