NSB1706DMW5T1G 供应商
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NSB1706DMW5T1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：SMD/21+ -
NSB1706DMW5T1G
品牌：ONS 封装/批号：原厂原封装/新批号
NSB1706DMW5T1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：2 NPN 预偏压（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：-
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NSB1706DMW5T1GOSNSB1706DMW5T1GOS-NDNSB1706DMW5T1GOSTR