NJVMJD112T4G 供应商
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NJVMJD112T4G
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：DPAK-3/22+ -
NJVMJD112T4G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：DPAK/18+
NJVMJD112T4G 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 2A，3V
- 功率 - 最大：1.75W
- 频率 - 转换：25MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：DPAK-3
- 包装：带卷 (TR)