NIF9N05CLT3G 供应商
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NIF9N05CLT3G
品牌：Sanyo 封装/批号：SOT-223 (TO-261)/21+ -
NIF9N05CLT3G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：SOT-223/18+
NIF9N05CLT3G 属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：52V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 2.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：250pF @ 35V
- 功率 - 最大：1.69W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SOT-223
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NIF9N05CLT3GOS