MMBT6427LT1G 供应商
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MMBT6427LT1G 原装现货
品牌:ON 封装/批号:SOT23/2350+ -
MMBT6427LT1G
品牌:onsemi 封装/批号:SOT-23 (TO-236) 3 LEAD/21+ -
MMBT6427LT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT-23/24+ -
MMBT6427LT1G
品牌:ON 封装/批号:/8 -
MMBT6427LT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SMD/21+ -
MMBT6427LT1G
品牌:ORSEMI/安森美 封装/批号:SOT-23-3/22+ -
MMBT6427LT1G
品牌:ON 封装/批号:/21+ -
MMBT6427LT1G
品牌:ON/ELNAF 封装/批号:SOT23/1810+ -
MMBT6427LT1G
品牌: 封装/批号:/连可连代销V -
MMBT6427LT1G
品牌: 封装/批号:SOT23/23+
MMBT6427LT1G 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大):1µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20000 @ 100mA,5V
- 功率 - 最大:225mW
- 频率 - 转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT6427LT1GOSMMBT6427LT1GOS-NDMMBT6427LT1GOSTR