MMBT5551LT1G 供应商
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MMBT5551LT1G 原装现货
品牌：ON 封装/批号：SOT23/19+ -
MMBT5551LT1G 原装现货
品牌：Onsemi 封装/批号：SOT-23/2203 -
MMBT5551LT1G 原装现货
品牌：ON 封装/批号：SOT23/20+ -
MMBT5551LT1G 原装现货
品牌：ON 封装/批号：SOT23/2012 -
MMBT5551LT1G
品牌：ON 封装/批号：NA/2022+ -
MMBT5551LT1G
品牌：onsemi 封装/批号：SOT-23 (TO-236) 3 LEAD/21+ -
MMBT5551LT1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：SOT-23/24+ -
MMBT5551LT1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：SOT-23/2024 -
MMBT5551LT1G
品牌：ON 封装/批号：SMD/21+ -
MMBT5551LT1G
品牌：ON 封装/批号：SOT-23/
MMBT5551LT1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBT5551LT1GOSMMBT5551LT1GOS-NDMMBT5551LT1GOSTR
MMBT5551LT1G