MMBT2222ALT1G 供应商
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MMBT2222ALT1G 原装现货
品牌:CJ长电 封装/批号:SOT23/2012 -
MMBT2222ALT1G
品牌:ONSEMI 封装/批号:NA/2024+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT-23/24+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON SEMICONDUCTOR 封装/批号:/23+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT23/7 -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT-23/21+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT23/2019+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT23/22+授权代理 -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON 封装/批号:TO-263/23+ -
MMBT2222ALT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT-23/21+
MMBT2222ALT1G 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
- 功率 - 最大:225mW
- 频率 - 转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT2222ALT1GOSMMBT2222ALT1GOS-NDMMBT2222ALT1GOSTR