MMBFJ202 供应商
MMBFJ202 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：900µA @ 20V
- 漏极至源极电压(Vdss)：-
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：800mV @ 10nA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大：350mW
- 其它名称：MMBFJ202-NDMMBFJ202TR
MMBFJ202