2N5639 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：JFET（结点场效应
- 系列：-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：25mA @ 20V
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 漏极电流 (Id) - 最大：-
- FET 型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：10pF @ 12V（VGS）
- 电阻 - RDS（开）：60 欧姆
- 安装类型：通孔
- 包装：散装
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 功率 - 最大：310mW
- 其它名称：2N5639OS
2N5639RLRA