KSP12TA 供应商
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KSP12TA
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：TO-92-3/18+
KSP12TA 属性参数
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：-
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 10µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20000 @ 10mA，5V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带盒（TB）