KSD1221GTU 供应商
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KSD1221GTU
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：I-PAK/18+
KSD1221GTU 属性参数
- 标准包装：5,040
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：150 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：1W
- 频率 - 转换：3MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件