IXTP1R4N100P 供应商
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IXTP1R4N100P
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+ -
IXTP1R4N100P
品牌：IXYS 封装/批号：标准封装/24+
IXTP1R4N100P 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：Polar™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 50µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：450pF @ 25V
- 功率 - 最大：63W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件