IXTH6N150 供应商
IXTH6N150 属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1500V（1.5kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2230pF @ 25V
- 功率 - 最大：540W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247
- 包装：管件