IXTA1R4N120P 供应商
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IXTA1R4N120P
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：D2PAK/TO-263/2024+ -
IXTA1R4N120P
品牌：IXYS 封装/批号：标准封装/24+
IXTA1R4N120P 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：Polar™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：24.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：666pF @ 25V
- 功率 - 最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263
- 包装：管件