IXFT50N30Q3 供应商
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IXFT50N30Q3
品牌：IXYS 封装/批号：标准封装/24+
IXFT50N30Q3 属性参数
- 特色产品：Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HiPerFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：300V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 25A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：6.5V @ 4mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3165pF @ 25V
- 功率 - 最大：690W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商设备封装：TO-268
- 包装：管件
IXFT50N30Q3