IXFP3N120 供应商
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IXFP3N120
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+
IXFP3N120 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HiPerFET™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1050pF @ 25V
- 功率 - 最大：200W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
IXFP3N120