IXFN32N100Q3 供应商
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IXFN32N100Q3
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXFN32N100Q3
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXFN32N100Q3
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXFN32N100Q3
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXFN32N100Q3
品牌:艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXFN32N100Q3
品牌:isc/固电半导体 封装/批号:SOT-227/2024+ -
IXFN32N100Q3
品牌:IXYS 封装/批号:SOT-227B/18+ -
IXFN32N100Q3
品牌:艾赛斯 封装/批号:标准封装/22+ -
IXFN32N100Q3
品牌:艾赛斯/IXYS 封装/批号:module/19+ -
IXFN32N100Q3
品牌:IXYS 封装/批号:标准封装/20+
IXFN32N100Q3 属性参数
- 特色产品:Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:HiPerFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:28A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:320 毫欧 @ 16A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:195nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:9940pF @ 25V
- 功率 - 最大:780W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
- 包装:管件