APT19F100J 供应商
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APT19F100J
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/21+ -
APT19F100J
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/22+ -
APT19F100J
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/22+
APT19F100J 属性参数
- 标准包装：10
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：POWER MOS 8™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：440 毫欧 @ 16A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：8500pF @ 25V
- 功率 - 最大：460W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：ISOTOP?
- 包装：管件