IRLHM630TR2PBF 供应商
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IRLHM630TR2PBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PQFN(3x3)/18+
IRLHM630TR2PBF 属性参数
- 标准包装：400
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：21A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 毫欧 @ 20A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 50µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3170pF @ 25V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：PQFN（3x3）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRLHM630TR2PBFTR