IRFR9N20DTRPBF 供应商
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IRFR9N20DTRPBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：D-Pak/18+ -
IRFR9N20DTRPBF
品牌：IRFR9N20DTRPBF 封装/批号：Infineon/连可连代销V -
IRFR9N20DTRPBF
品牌：INFINEON 封装/批号：DPAK/2022+
IRFR9N20DTRPBF 属性参数
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫欧 @ 5.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：560pF @ 25V
- 功率 - 最大：86W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRFR9N20DTRPBF-NDIRFR9N20DTRPBFTR