IRFH5215TR2PBF 供应商
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IRFH5215TR2PBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PQFN(5x6)/18+
IRFH5215TR2PBF 属性参数
- 标准包装：400
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：58 毫欧 @ 16A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1350pF @ 50V
- 功率 - 最大：3.6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：PQFN（5x6）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRFH5215TR2PBF-NDIRFH5215TR2PBFTR