IRFD9010 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：50V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 580mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：240pF @ 25V
- 功率 - 最大：1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
- 包装：管件
- 其它名称：*IRFD9010
IRFD9010PBF