IRFD024PBF 供应商
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IRFD024PBF
品牌：VishaySiliconix 封装/批号：4-DIP/18+
IRFD024PBF 属性参数
- 数据列表：IRFD024
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：640pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.3W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
- 包装：管件
- 其它名称：*IRFD024PBF
IRFD024PBF