IRFBE30LPBF 供应商
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IRFBE30LPBF
品牌：VishaySiliconix 封装/批号：I2PAK/18+
IRFBE30LPBF 属性参数
- 数据列表：IRFBE30S,L
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：800V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 25V
- 功率 - 最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
- 其它名称：*IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF