IRF6668TR1 供应商
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IRF6668TR1
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：DIRECTFET?MZ/18+ -
IRF6668TR1
品牌：IR 封装/批号：/21+
IRF6668TR1 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：55A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 12A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.9V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1320pF @ 25V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MZ
- 包装：带卷 (TR)
IRF6668TR1PBF