IRF6644TR1PBF 供应商
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IRF6644TR1PBF
品牌：IR 封装/批号：/2019+ -
IRF6644TR1PBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：DIRECTFET?MN/18+ -
IRF6644TR1PBF
品牌：IR 封装/批号：/21+
IRF6644TR1PBF 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2210pF @ 25V
- 功率 - 最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF6644TR1PBFTR